Wafer de silicone de 8 pouces de type P/N (100) 1-100Ω substrat de récupération factice

Breve descrizzione:

Un grande inventariu di wafers lucidati a doppia faccia, tutti i wafers da 50 à 400 mm di diametru Se a vostra specificazione ùn hè micca dispunibule in u nostru inventariu, avemu stabilitu relazioni à longu andà cù parechji fornitori chì sò capaci di fabricà wafers per adatta à qualsiasi specificazione unica. I wafers lucidati à doppia faccia ponu esse aduprati per u siliciu, u vetru è altri materiali cumunimenti usati in l'industria di i semiconduttori.

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Introduzione di scatula di wafer

U wafer di siliciu di 8 inch hè un materiale di sustrato di siliciu cumunimenti utilizatu è hè largamente utilizatu in u prucessu di fabricazione di circuiti integrati. Tali wafers di siliciu sò comunmente usati per fà diversi tipi di circuiti integrati, cumpresi microprocessori, chips di memoria, sensori è altri dispositi elettronici. I wafers di siliciu di 8 pollici sò comunmente usati per fà chips di dimensioni relativamente grandi, cù vantaghji chì includenu una superficia più grande è a capacità di fà più chips nantu à una sola wafer di siliciu, chì porta à una crescita di l'efficienza di produzzione. U wafer di siliciu di 8 inch hà ancu boni proprietà meccaniche è chimiche, chì hè adattatu per a pruduzzioni di circuiti integrati à grande scala.

Caratteristiche di u produttu

8" P/N type, wafer de silicone poli (25 pièces)

Orientazione: 200

Resistività: 0,1 - 40 ohm•cm (puderà varià da un batch à l'altru)

Spessore: 725 +/- 20um

Prime / Monitor / Test Grade

PROPRIETÀ MATERIALE

Parametru	Caratteristica
Tipu / Dopantu	P, Boru N, Fosforu N, Antimoniu N, Arsenicu
Orientazioni	<100>, <111> tagliate l'orientazioni per e specificazioni di u cliente
Cuntenutu d'ossigenu	10¹⁹ppmA Tolleranza persunalizata per specificazione di u cliente
Cuntenutu di carbone	< 0,6 ppmA

PROPRIETÀ MECANICA

Parametru	Primu	Monitor / Test A	Testu
Diamitru	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Spessore	725±20µm (standard)	725±25µm (standard) 450±25µm 625 ± 25 µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500 ± 25 µm	725±50µm (standard)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
arcu	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Wrap	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Arrotondamentu di u bordu	SEMI-STD
Marcatura	Primary SEMI-Flat solu, SEMI-STD Flats Jeida Flat, Notch

Parametru	Primu	Monitor / Test A	Testu
Criterium Front Side
Cundizione di a superficia	Pulitura chimica meccanica	Pulitura chimica meccanica	Pulitura chimica meccanica
Rugosità di a superficia	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Cuntaminazione Particelle @ > 0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Haze, Pits Buccia d'arancia	Nimu	Nimu	Nimu
Sega, Marks Striazioni	Nimu	Nimu	Nimu
Criterium Back Side
Crepe, zampe di gallina, segni di sega, macchie	Nimu	Nimu	Nimu
Cundizione di a superficia	Incisione caustica