Substratu di ricuperazione fittiziu di wafer di siliciu di 8 pollici di tipu P/N (100) 1-100Ω

Wafer di siliciu di 8 pollici di tipu P/N (100) 1-100Ω substratu di ricuperazione fittiziu Immagine presentata

Descrizzione breve:

Grande inventariu di wafer lucidati à doppia faccia, tutti i wafer da 50 à 400 mm di diametru Se a vostra specificazione ùn hè micca dispunibule in u nostru inventariu, avemu stabilitu relazioni à longu andà cù parechji fornitori chì sò capaci di fabricà wafer persunalizati per adattassi à qualsiasi specificazione unica. I wafer lucidati à doppia faccia ponu esse aduprati per u silicone, u vetru è altri materiali cumunimenti aduprati in l'industria di i semiconduttori.

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Introduzione di a scatula di wafer

A fetta di siliciu di 8 pollici hè un materiale di substratu di siliciu cumunimenti utilizatu è hè largamente utilizata in u prucessu di fabricazione di circuiti integrati. Tali fetta di siliciu sò cumunimenti utilizati per fà vari tipi di circuiti integrati, cumpresi microprocessori, chip di memoria, sensori è altri dispositivi elettronichi. I fetta di siliciu di 8 pollici sò cumunimenti utilizati per fà chip di dimensioni relativamente grande, cù vantaghji cum'è una superficia più grande è a capacità di fà più chip nantu à una sola fetta di siliciu, chì porta à una maggiore efficienza di pruduzzione. A fetta di siliciu di 8 pollici hà ancu bone proprietà meccaniche è chimiche, chì hè adatta per a pruduzzione di circuiti integrati à grande scala.

Caratteristiche di u produttu

8" tipu P/N, wafer di siliciu lucidatu (25 pezzi)

Orientazione: 200

Resistività: 0,1 - 40 ohm•cm (Pò varià da lottu à lottu)

Spessore: 725 +/- 20 um

Primu/Monitoru/Gradu di Test

PROPRIETÀ DI I MATERIALI

Parametru	Caratteristica
Tipu/Dopante	P, Boru N, Fosforu N, Antimoniu N, Arsenicu
Orientamenti	<100>, <111> orientazioni di taglio secondu e specificazioni di u cliente
cuntenutu d'ossigenu	10^{19 anni}Tolleranze persunalizate ppmA secondu e specificazioni di u cliente
cuntenutu di carbone	< 0,6 ppmA

PROPRIETÀ MECCANICHE

Parametru	Primu	Monitoriu/Test A	Pruva
Diametru	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,2 mm	200 ± 0,5 mm
Spessore	725±20µm (standard)	725 ± 25 µm (standard) 450 ± 25 µm 625±25µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500 ± 25 µm	725±50µm (standard)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Arcu	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Avvolge	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Arrotondamentu di i bordi	SEMI-STD
Marcatura	Solu SEMI-Piatta Primaria, SEMI-STD Piani Jeida Piani, Tacca

Parametru	Primu	Monitoriu/Test A	Pruva
Criterii di u latu frontale
Cundizione di a superficia	Lucidatu chimicu meccanicu	Lucidatu chimicu meccanicu	Lucidatu chimicu meccanicu
Rugosità di a superficia	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Cuntaminazione Particelle à >0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Foschia, Pozzi Scorza d'aranciu	Nimu	Nimu	Nimu
Sega, Marchi Striature	Nimu	Nimu	Nimu
Criterii di u latu posteriore
Crepe, zampe di gallina, segni di sega, macchie	Nimu	Nimu	Nimu
Cundizione di a superficia	Causticu incisu