Wafer di siliciu FZ CZ in stock Wafer di siliciu di 12 pollici Prime o Test

Descrizzione breve:

Una fetta di siliciu di 12 pollici hè un materiale semiconduttore sottile utilizatu in applicazioni elettroniche è circuiti integrati. E fetta di siliciu sò cumpunenti assai impurtanti in i prudutti elettronichi cumuni cum'è l'urdinatori, i televisori è i telefoni cellulari. Ci sò diversi tipi di fetta è ognuna hà e so proprietà specifiche. Per capisce a fetta di siliciu più adatta per un prughjettu particulare, duvemu capisce i vari tipi di fetta è a so idoneità.


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Introduzione di a scatula di wafer

Cialde lucidate

Wafer di siliciu lucidati apposta da i dui lati per ottene una superficia speculare. Caratteristiche superiori cum'è a purezza è a planarità definiscenu e migliori caratteristiche di questu wafer.

Wafers di siliciu senza droga

Sò ancu cunnisciuti cum'è wafers di siliciu intrinsechi. Stu semiconduttore hè una forma cristallina pura di siliciu senza a presenza di alcun dopante in tuttu u wafer, ciò chì ne face un semiconduttore ideale è perfettu.

Wafer di siliciu drogatu

U tipu N è u tipu P sò i dui tipi di wafers di siliciu drogati.

I wafer di siliciu dopati di tipu N cuntenenu arsenicu o fosforu. Hè largamente adupratu in a fabricazione di dispositivi CMOS avanzati.

Wafer di siliciu di tipu P dopati cù boru. Principalmente, hè adupratu per fà circuiti stampati o fotolitografia.

Wafer epitassiali

I wafer epitassiali sò wafer cunvenziunali aduprati per ottene l'integrità di a superficia. I wafer epitassiali sò dispunibili in wafer spessi è fini.

E cialde epitassiali multistrato è e cialde epitassiali spesse sò ancu aduprate per regulà u cunsumu energeticu è u cuntrollu di putenza di i dispositivi.

I wafer epitassiali fini sò cumunemente usati in strumenti MOS superiori.

Cialde SOI

Queste cialde sò aduprate per isolà elettricamente strati fini di siliciu monocristallinu da tutta a cialda di siliciu. E cialde SOI sò cumunemente aduprate in fotonica di siliciu è applicazioni RF ad alte prestazioni. E cialde SOI sò ancu aduprate per riduce a capacità parassita di i dispositivi in ​​i dispositivi microelettronici, ciò chì aiuta à migliurà e prestazioni.

Perchè a fabricazione di wafer hè difficiule?

I wafer di siliciu di 12 pollici sò assai difficiuli da taglià in termini di rendimentu. Ancu s'è u siliciu hè duru, hè ancu fragile. Si creanu zone ruvide quandu i bordi di i wafer segati tendenu à rompe si. I dischi di diamanti sò usati per liscià i bordi di i wafer è rimuovere qualsiasi dannu. Dopu u tagliu, i wafer si rompenu facilmente perchè avà anu bordi affilati. I bordi di i wafer sò cuncipiti in modu tale chì i bordi fragili è affilati sò eliminati è a possibilità di scivolamentu hè ridutta. Cum'è risultatu di l'operazione di furmazione di i bordi, u diametru di u wafer hè aghjustatu, u wafer hè arrotondatu (dopu u tagliu, u wafer tagliatu hè ovale), è si facenu o si dimensionanu tacche o piani orientati.

Diagramma dettagliatu

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