GaN on Glass 4-Inch: Opzioni di vetru persunalizabili cumpresi JGS1, JGS2, BF33, è Quartz ordinariu
Features
●Wide Bandgap:GaN hà un bandgap di 3.4 eV, chì permette una efficienza più altu è una durabilità più grande in cundizioni d'alta tensione è alta temperatura cumparatu cù i materiali semiconduttori tradiziunali cum'è u silicuu.
●Sustrati di vetru persunalizabili:Disponibile cù l'opzioni di vetru JGS1, JGS2, BF33 è Quartz Ordinariu per risponde à diverse esigenze di prestazioni termiche, meccaniche è ottiche.
●High Conductivity Thermal:L'alta conduttività termica di GaN assicura una dissipazione efficace di u calore, facendu questi wafer ideali per l'applicazioni di energia è i dispositi chì generanu calore elevatu.
●High Breakdown Voltage:A capacità di GaN per sustene l'alti voltaggi rende questi wafers adattati per i transistori di putenza è l'applicazioni à alta frequenza.
Forza meccanica ●Excellent:I sustrati di vetru, cumminati cù e proprietà di GaN, furniscenu una robusta forza meccanica, aumentendu a durabilità di l'ostia in ambienti esigenti.
● Costi di fabricazione ridutti:Paragunatu à i wafers tradiziunali di GaN-on-Silicon o GaN-on-Sapphire, GaN-on-glass hè una soluzione più prezzu per a produzzione à grande scala di i dispositi d'altu rendiment.
● Proprietà ottiche adattate:Diverse opzioni di vetru permettenu a persunalizazione di e caratteristiche ottiche di u wafer, facendu adattatu per l'applicazioni in optoelettronica è fotonica.
Specificazioni tecniche
| Parametru | Valore |
| Size Wafer | 4-inch |
| Opzioni di substratu di vetru | JGS1, JGS2, BF33, Quartz ordinariu |
| Spessore di a strata GaN | 100 nm - 5000 nm (personalizzabile) |
| GaN Bandgap | 3,4 eV (bandgap larga) |
| Tensione di rottura | Finu à 1200V |
| Conductibilità termale | 1,3 - 2,1 W/cm·K |
| Mobilità Elettronica | 2000 cm²/V·s |
| Rugosità di a superficia di wafer | RMS ~ 0,25 nm (AFM) |
| Resistenza di foglia GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Resistività | Semi-insulating, N-type, P-type (customizable) |
| Trasmissione ottica | > 80% per lunghezze d'onda visibili e UV |
| Wafer Warp | < 25 µm (massimu) |
| Finitura di a superficia | SSP (lucidatu à un latu) |
Applicazioni
Optoelettronica:
I wafers GaN-on-glass sò largamente usati inLEDèdiodi laserper via di l'alta efficienza è u rendiment otticu di GaN. A capacità di selezziunà sustrati di vetru cum'èJGS1èJGS2permette a persunalizazione in a trasparenza ottica, facendu ideali per alta putenza, alta luminositàLED blu/verdeèlaser UV.
Fotonica:
I wafer GaN-on-glass sò ideali perfotodetettori, circuiti integrati fotonici (PIC), èsensori ottici. E so eccellenti proprietà di trasmissione di luce è una alta stabilità in l'applicazioni à alta frequenza li facenu adatticumunicazioniètecnulugia di sensori.
Elettronica di putenza:
A causa di u so largu bandgap è di l'alta tensione di rottura, i wafers GaN-on-glass sò usati intransistor d'alta putenzaècunversione di putenza à alta frequenza. A capacità di GaN per trattà l'alti voltaggi è a dissipazione termica rende perfetta peramplificatori di putenza, Transistor di putenza RF, èl'elettronica di putenzain applicazioni industriali è cunsumatori.
Applicazioni d'Alta Frequenza:
I wafers GaN-on-glass presentanu eccellentimobilità elettronicaè pò operà à alta velocità di commutazione, facendu ideali perdispusitivi di putenza high-frequency, i dispusitivi microonde, èamplificatori RF. Quessi sò cumpunenti cruciali inSistemi di cumunicazione 5G, sistemi radar, ècumunicazione satellitare.
Applicazioni di l'automobile:
I wafers GaN-on-glass sò ancu usati in sistemi di putenza di l'automobile, in particulare incaricatori di bordu (OBC)èConvertitori DC-DCper i veiculi elettrici (EV). L'abilità di i wafers per trattà alte temperature è tensioni li permette di esse aduprati in l'elettronica di putenza per i EVs, offre una efficienza è affidabilità più grande.
Dispositivi medichi:
E proprietà di GaN facenu ancu un materiale attraente per l'usuimaging medicaleèsensori biomedicali. A so capacità di operare à alti voltages è a so resistenza à a radiazione facenu ideale per l'applicazioni inequipamentu di diagnostichièlasers medichi.
Q&A
Q1: Perchè GaN-on-glass hè una bona opzione paragunata à GaN-on-Silicon o GaN-on-Sapphire?
A1:GaN-on-glass offre parechji vantaghji, cumpresecostu-efficacitàèmegliu gestione termale. Mentre GaN-on-Silicon è GaN-on-Sapphire furnisce un rendimentu eccellente, i sustrati di vetru sò più economici, più facilmente dispunibili è persunalizabili in termini di proprietà ottiche è meccaniche. Inoltre, i wafers GaN-on-glass furnisce un rendimentu eccellente in i duiotticuèapplicazioni elettroniche d'alta putenza.
Q2: Chì ghjè a diffarenza trà l'opzioni di vetru JGS1, JGS2, BF33 è Quartz ordinariu?
A2:
- JGS1èJGS2sò substrati di vetru otticu d'alta qualità cunnisciuti per u soalta trasparenza otticaèbassa espansione termica, chì li rende ideali per i dispositi fotonici è optoelettronici.
- BF33offerte di vetruindice di rifrazione più altuè hè ideale per l'applicazioni chì necessitanu prestazioni ottiche avanzate, cum'èdiodi laser.
- Quartz ordinariufurnisce altustabilità termicaèresistenza à a radiazione, facendu adattatu per l'applicazioni à alta temperatura è ambienti duru.
Q3: Puderaghju persunalizà a resistività è u tipu di doping per i wafers GaN-on-glass?
A3:Iè, offremuresistività persunalizabileètipi di doping(Tipu N o P-tipu) per wafer GaN-on-glass. Questa flessibilità permette à i wafers per esse adattati à applicazioni specifiche, cumprese i dispositi di putenza, i LED è i sistemi fotonici.
Q4: Chì sò l'applicazioni tipiche per GaN-on-glass in optoelettronica?
A4:In optoelettronica, i wafers GaN-on-glass sò cumunimenti usati perLED blu è verdi, laser UV, èfotodetettori. E pruprietà ottiche persunalizabili di u vetru permettenu di dispusitivi cù altatrasmissioni di luce, chì li rende ideali per applicazioni intecnulugia di visualizazione, illuminazione, èsistemi di cumunicazione otticu.
Q5: Cumu funziona GaN-on-glass in applicazioni à alta frequenza?
A5:Offerta di wafers GaN-on-glasseccellente mobilità elettronica, chì li permette di fà bè inapplicazioni à alta frequenzacum'èamplificatori RF, i dispusitivi microonde, èSistemi di cumunicazione 5G. A so alta tensione di rottura è e perdite di commutazione bassu li facenu adattidispusitivi RF d'alta putenza.
Q6: Chì ghjè a tensione tipica di rottura di i wafers GaN-on-glass?
A6:Wafers GaN-on-glass tipicamente supportanu tensioni di rottura finu à1200V, rendenduli adattati peralta putenzaèalta tensioneapplicazioni. U so largu bandgap li permette di gestisce tensioni più altu ch'è i materiali semiconduttori cunvinziunali cum'è u siliciu.
Q7: I wafers GaN-on-glass ponu esse usatu in applicazioni automobilistiche?
A7:Iè, i wafers GaN-on-glass sò usati inl'elettronica di putenza di l'automobile, cumpresiConvertitori DC-DCècaricatori à bordu(OBC) per i veiculi elettrici. A so capacità di operare à temperature elevate è di manighjà alta tensione li rende ideali per queste applicazioni esigenti.
Cunclusioni
I nostri Wafers GaN on Glass 4-Inch offrenu una soluzione unica è persunalizabile per una varietà di applicazioni in optoelettronica, elettronica di putenza è fotonica. Cù opzioni di sustrato di vetru cum'è JGS1, JGS2, BF33, è Quartz Ordinariu, questi wafers furniscenu versatilità sia in proprietà meccaniche sia ottiche, chì permettenu soluzioni adattate per i dispositi d'alta putenza è di alta frequenza. Sia per LED, diodi laser, o applicazioni RF, wafer GaN-on-glass
Diagramma detallatu
