GaN nantu à u vetru di 4 pollici: Opzioni di vetru persunalizabili cumprese JGS1, JGS2, BF33 è quarzu ordinariu
Funziunalità
●Larga banda di prufundità:U GaN hà una banda proibita di 3,4 eV, chì permette una maggiore efficienza è una maggiore durabilità in cundizioni di alta tensione è alta temperatura paragunatu à i materiali semiconduttori tradiziunali cum'è u siliciu.
●Sustrati di vetru persunalizabili:Disponibile cù opzioni di vetru di quarzu JGS1, JGS2, BF33 è ordinariu per risponde à diverse esigenze di prestazioni termiche, meccaniche è ottiche.
●Alta Cunduttività Termica:L'alta conducibilità termica di GaN assicura una dissipazione efficace di u calore, rendendu queste cialde ideali per applicazioni di putenza è dispositivi chì generanu calore elevatu.
● Alta tensione di rottura:A capacità di GaN di sustene alte tensioni rende sti wafer adatti per transistor di putenza è applicazioni ad alta frequenza.
●Eccellente resistenza meccanica:I sustrati di vetru, cumminati cù e proprietà di GaN, furniscenu una robusta resistenza meccanica, aumentendu a durabilità di a cialda in ambienti esigenti.
●Costi di fabricazione ridotti:In paragone cù i wafer tradiziunali di GaN-on-Silicon o GaN-on-Sapphire, u GaN-on-glass hè una suluzione più economica per a pruduzzione à grande scala di dispositivi ad alte prestazioni.
● Proprietà ottiche persunalizate:Diverse opzioni di vetru permettenu a persunalizazione di e caratteristiche ottiche di a cialda, rendendula adatta per applicazioni in optoelettronica è fotonica.
Specifiche tecniche
| Parametru | Valore |
| Dimensione di a cialda | 4 pollici |
| Opzioni di substratu di vetru | JGS1, JGS2, BF33, Quarzu Ordinariu |
| Spessore di u stratu di GaN | 100 nm – 5000 nm (persunalizabile) |
| Banda proibita di GaN | 3,4 eV (banda proibita larga) |
| Tensione di rottura | Finu à 1200V |
| Cunduttività termica | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Mobilità Elettronica | 2000 cm²/V·s |
| Rugosità di a superficia di a cialda | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| Resistenza di u fogliu di GaN | 437,9 Ω·cm² |
| Resistività | Semi-isolante, di tipu N, di tipu P (persunalizabile) |
| Trasmissione Ottica | >80% per lunghezze d'onda visibili è UV |
| Orditu di cialda | < 25 µm (massimu) |
| Finitura di a superficia | SSP (lucidatu nantu à una sola faccia) |
Applicazioni
Optoelettronica:
I wafer di GaN nantu à u vetru sò largamente usati inLEDèdiodi laserper via di l'alta efficienza è di e prestazioni ottiche di GaN. A capacità di selezziunà substrati di vetru cum'èJGS1èJGS2permette a persunalizazione in a trasparenza ottica, rendenduli ideali per alta putenza è alta luminositàLED blu/verdièLaser UV.
Fotonica:
I wafer di GaN nantu à u vetru sò ideali perfotodetettori, circuiti integrati fotonici (PIC), èsensori otticiE so eccellenti proprietà di trasmissione di luce è l'alta stabilità in applicazioni ad alta frequenza li rendenu adatti percumunicazioniètecnulugie di sensori.
Elettronica di putenza:
A causa di a so larga banda proibita è di l'alta tensione di rottura, i wafer di GaN nantu à u vetru sò aduprati intransistor d'alta putenzaècunversione di putenza à alta frequenzaA capacità di GaN di trattà alte tensioni è dissipazione termica u rende perfettu peramplificatori di putenza, Transistori di putenza RF, èelettronica di putenzain applicazioni industriali è di cunsumu.
Applicazioni à alta frequenza:
I wafer di GaN nantu à u vetru presentanu eccellentimobilità elettronicaè ponu funziunà à alte velocità di commutazione, ciò chì li rende ideali perdispositivi di putenza à alta frequenza, dispositivi à microonde, èAmplificatori RFQuessi sò cumpunenti cruciali inSistemi di cumunicazione 5G, sistemi radar, ècumunicazione satellitare.
Applicazioni automobilistiche:
I wafer di GaN nantu à u vetru sò ancu aduprati in i sistemi di putenza automobilistica, in particulare incaricatori di bordo (OBC)èConvertitori DC-DCper i veiculi elettrichi (VE). A capacità di i wafer di trattà temperature è tensioni elevate permette di aduprà li in l'elettronica di putenza per i VE, offrendu una maggiore efficienza è affidabilità.
Dispositivi Medici:
E proprietà di GaN ne facenu ancu un materiale attraente per l'usu inimaghjini medicheèsensori biomedicaliA so capacità di funziunà à alte tensioni è a so resistenza à a radiazione a rendenu ideale per applicazioni inapparecchiature di diagnosticaèlaser medichi.
Dumande è risposte
Q1: Perchè GaN-on-glass hè una bona opzione paragunata à GaN-on-Silicon o GaN-on-Sapphire?
A1:GaN-on-glass offre parechji vantaghji, cumpresicostu-efficaciaèuna megliu gestione termicaMentre chì GaN-on-Silicon è GaN-on-Sapphire furniscenu prestazioni eccellenti, i substrati di vetru sò più economici, più facilmente dispunibili è persunalizabili in termini di proprietà ottiche è meccaniche. Inoltre, i wafer di GaN-on-vetru furniscenu prestazioni eccellenti in entrambiotticuèapplicazioni elettroniche d'alta putenza.
Q2: Chì ghjè a differenza trà JGS1, JGS2, BF33, è l'opzioni di vetru di quarzu ordinariu?
A2:
- JGS1èJGS2sò substrati di vetru otticu di alta qualità cunnisciuti per a soalta trasparenza otticaèbassa espansione termica, rendenduli ideali per dispositivi fotonici è optoelettronici.
- BF33offerte di vetruindice di rifrazione più altuè hè ideale per applicazioni chì richiedenu prestazioni ottiche migliorate, cum'èdiodi laser.
- Quarzu Ordinariufurnisce altustabilità termicaèresistenza à a radiazione, rendendulu adattatu per applicazioni à alte temperature è in ambienti difficili.
Q3: Possu persunalizà a resistività è u tipu di doping per i wafer di GaN nantu à vetru?
A3:Iè, offremuresistività persunalizabileètipi di doping(Tipu N o tipu P) per i wafer di GaN nantu à u vetru. Questa flessibilità permette di adattà i wafer à applicazioni specifiche, cumpresi i dispositivi di putenza, i LED è i sistemi fotonici.
Q4: Chì sò l'applicazioni tipiche di GaN-on-glass in optoelettronica?
A4:In optoelettronica, i wafer di GaN nantu à u vetru sò cumunemente aduprati perLED blu è verdi, Laser UV, èfotodetettoriE proprietà ottiche persunalizabili di u vetru permettenu dispositivi cù altatrasmissione di luce, rendenduli ideali per applicazioni intecnulugie di visualizazione, illuminazione, èsistemi di cumunicazione ottica.
Q5: Cumu si comporta GaN-on-glass in applicazioni d'alta frequenza?
A5:I wafer di GaN nantu à u vetru offrenueccellente mobilità elettronica, chì li permette di fà bè inapplicazioni à alta frequenzacum'èAmplificatori RF, dispositivi à microonde, èSistemi di cumunicazione 5GA so alta tensione di rottura è e so basse perdite di commutazione li rendenu adatti perdispositivi RF d'alta putenza.
Q6: Chì ghjè a tensione di rottura tipica di e cialde di GaN nantu à u vetru?
A6:I wafer di GaN nantu à u vetru supportanu tipicamente tensioni di rottura finu à1200V, rendenduli adatti peralta putenzaèalta tensioneapplicazioni. A so larga banda di banda li permette di trattà tensioni più alte cà i materiali semiconduttori cunvinziunali cum'è u siliciu.
D7: I wafer di GaN nantu à u vetru ponu esse aduprati in applicazioni automobilistiche?
A7:Iè, i wafer di GaN nantu à u vetru sò aduprati inelettronica di putenza automobilistica, cumpresiConvertitori DC-DCècaricatori di bordu(OBC) per i veiculi elettrichi. A so capacità di funziunà à alte temperature è di trattà alte tensioni li rende ideali per queste applicazioni esigenti.
Cunclusione
I nostri wafer GaN nantu à vetru di 4 pollici offrenu una suluzione unica è persunalizabile per una varietà di applicazioni in optoelettronica, elettronica di putenza è fotonica. Cù opzioni di substratu di vetru cum'è JGS1, JGS2, BF33 è quarzu ordinariu, sti wafer offrenu versatilità in e proprietà meccaniche è ottiche, chì permettenu suluzioni persunalizate per dispositivi di alta putenza è alta frequenza. Ch'elli sianu per LED, diodi laser o applicazioni RF, i wafer GaN nantu à vetru
Diagramma dettagliatu
