Wafer de carbure de silicium SiC Wafer de SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante à haute pureté) 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8 pouces disponible

Wafer de carbure de silicium SiC Wafer de SiC 4H-N 6H-N HPSI (Semi-isolante d'alta purezza) 4H/6H-P 3C -n type 2 3 4 6 8inch disponibile Image Featured Image

Descrizione breve:

Offriamu una selezzione diversificata di wafers SiC (Carbide di Silicium) di alta qualità, cun un focus particulari nantu à i wafers 4H-N è 6H-N di tipu N, chì sò ideali per applicazioni in optoelettronica avanzata, dispositivi di putere è ambienti à alta temperatura. . Questi wafers di tipu N sò cunnisciuti per a so conduttività termale eccezziunale, stabilità elettrica eccezziunale è durabilità notevuli, chì li facenu perfetti per l'applicazioni d'altu rendimentu cum'è l'elettronica di putenza, sistemi di trasmissione di veiculi elettrici, inverter d'energia rinnuvevuli è alimentazione industriale. In più di e nostre offerte di tipu N, furnimu ancu wafers di tip P 4H / 6H-P è 3C SiC per bisogni specializati, cumprese i dispositi d'alta frequenza è RF, è l'applicazioni fotoniche. I nostri wafers sò dispunibuli in dimensioni chì varianu da 2 inch à 8 inch, è furnimu suluzioni su misura per risponde à e esigenze specifiche di diversi settori industriali. Per più dettagli o dumande, sentite liberu di cuntattateci.

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Pruprietà

4H-N è 6H-N (wafers di SiC di tipu N)

Applicazione:Principalmente utilizatu in l'elettronica di putenza, l'optoelettronica è l'applicazioni à alta temperatura.

Gamma di diametru:50,8 mm à 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm, con spessori opzionali di 500 μm ± 25 μm.

Resistività:N-type 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grade); 3C-N di tipo N: ≤ 0,8 mΩ·cm (grado Z), ≤ 1 mΩ·cm (grado P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità di Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm per tutti i diametri.

Warp: ≤ 30 μm (≤ 45 μm per wafer da 8 pollici).

Esclusione di Edge:3 mm à 6 mm secondu u tipu di wafer.

Imballaggio:Cassette multi-wafer o contenitore single wafer.

Altre dimensioni dispunibuli 3inch 4inch 6inch 8inch

HPSI (wafers SiC semi-isolanti di alta purezza)

Applicazione:Adupratu per i dispositi chì necessitanu alta resistenza è prestazione stabile, cum'è i dispositi RF, l'applicazioni fotoniche è i sensori.

Gamma di diametru:50,8 mm à 200 mm.

Spessore:Spessore standard di 350 μm ± 25 μm cù opzioni per wafer più spessi finu à 500 μm.

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm.

Densità di Micropipe (MPD): ≤ 1 ea/cm².

Resistività:Alta resistenza, tipicamente usata in applicazioni semi-insulanti.

Warp: ≤ 30 μm (per taglie più piccole), ≤ 45 μm per diametri più grandi.

TTV: ≤ 10 μm.

Altre dimensioni dispunibuli 3inch 4inch 6inch 8inch

4H-P、6H-P&3C wafer di SiC(Wafers SiC di tipu P)

Applicazione:Principalmente per i dispositi di putenza è di alta frequenza.

Gamma di diametru:50,8 mm à 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm o opzioni personalizzate.

Resistività:P-type 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (Z-grade), ≤ 0,3 Ω·cm (P-grade).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità di Micropipe (MPD):< 1 ea/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Esclusione di Edge:3 mm à 6 mm.

Warp: ≤ 30 μm per dimensioni più piccole, ≤ 45 μm per dimensioni più grandi.

Altre dimensioni dispunibili 3inch 4inch 6inch5×5 10×10

Tabella di Parametri di Dati Parziale

Pruprietà	2 inch		3 inch		4 inch	6 inch	8 inch
Tipu	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diamitru	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Spessore	330 ± 25 um		350 ± 25 um		350 ± 25 um	350 ± 25 um	350 ± 25 um
	350±25um;		500 ± 25 um		500 ± 25 um	500 ± 25 um	500 ± 25 um
	o persunalizati		o persunalizati		o persunalizati	o persunalizati	o persunalizati
Rugosità	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Warp	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤ 45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Scratch / Dig	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Forma	Round, Flat 16mm; di lunghezza 22mm; OF Lunghezza 30/32.5mm; Lunghezza di 47,5 mm; NOTCH; NOTCH;
Bisellu	45 °, SEMI Spec; Forma C
Grade	Grau di pruduzzione per MOS & SBD; gradu di ricerca; Grade Dummy, Grade Wafer Seed
Rimarche	Diametru, Spessore, Orientazione, specificazioni sopra ponu esse persunalizati nantu à a vostra dumanda

Applicazioni

·Elettronica di putenza

I wafers di SiC di tipu N sò cruciali in i dispositi elettronichi di putenza per via di a so capacità di gestisce alta tensione è alta corrente. Sò cumunimenti usati in cunvertitori di putenza, inverter, è unità di mutore per industrii cum'è l'energia rinnuvevule, i veiculi elettrici è l'automatizazione industriale.

· Optoelettronica
I materiali SiC di tipu N, in particulare per l'applicazioni optoelettroniche, sò impiegati in i dispositi cum'è diodi emettitori di luce (LED) è diodi laser. A so alta conduttività termica è a banda larga li facenu ideali per i dispositi optoelettronici d'altu rendiment.

·Applicazioni à alta temperatura
I wafers 4H-N 6H-N SiC sò adattati per l'ambienti à alta temperatura, cum'è in sensori è dispositivi di putenza utilizati in applicazioni aerospaziali, automobilistiche è industriali induve a dissipazione di u calore è a stabilità à temperature elevate sò critichi.

·Dispositivi RF
I wafers 4H-N 6H-N SiC sò usati in i dispositi di freccia radio (RF) chì operanu in intervalli d'alta frequenza. Sò applicati in sistemi di cumunicazione, tecnulugia di radar è cumunicazioni satellitari, induve l'alta efficienza di putenza è u rendiment hè necessariu.

·Applicazioni fotoniche
In fotonica, i wafers SiC sò usati per i dispositi cum'è fotodetettori è modulatori. E proprietà uniche di u materiale permettenu di esse efficace in a generazione di luce, a modulazione è a rilevazione in i sistemi di cumunicazione otticu è i dispositi di imaging.

·Sensori
I wafers SiC sò usati in una varietà di applicazioni di sensori, in particulare in ambienti duri induve altri materiali puderanu falla. Questi includenu sensori di temperatura, pressione è chimichi, chì sò essenziali in campi cum'è l'automobile, l'oliu è u gasu, è u monitoraghju ambientale.

·Sistemi di trasmissione di veiculi elettrici
A tecnulugia SiC ghjoca un rolu significativu in i veiculi elettrici per migliurà l'efficienza è u rendiment di i sistemi di trasmissione. Cù semiconduttori di putenza SiC, i veiculi elettrici ponu ottene una vita di a batteria megliu, tempi di carica più veloci è una efficienza energetica più grande.

·Sensori Avanzati è Convertitori Fotonici
In tecnulugii di sensori avanzati, i wafer SiC sò usati per creà sensori d'alta precisione per applicazioni in robotica, dispositi medichi è monitoraghju ambientale. In i convertitori fotonici, e proprietà di SiC sò sfruttate per attivà a cunversione efficiente di l'energia elettrica in segnali ottici, chì hè vitale in l'infrastruttura di telecomunicazioni è di Internet à alta velocità.

Q&A

Q: Cosa hè 4H in 4H SiC?
A"4H" in 4H SiC si riferisce à a struttura cristallina di carburu di siliciu, in particulare una forma esagonale cù quattru strati (H). U "H" indica u tipu di politipu esagonale, distinguendu da altri politipi SiC cum'è 6H o 3C.

Q：Quale hè a conduttività termica di 4H-SiC?
A: A conductività termale di 4H-SiC (Silicon Carbide) hè di circa 490-500 W/m·K à a temperatura di l'ambienti. Questa alta conduttività termica a rende ideale per l'applicazioni in l'elettronica di putenza è l'ambienti à alta temperatura, induve a dissipazione di calore efficiente hè cruciale.

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