Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch

Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C tippu 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch Image Featured

Descrizzione breve:

Offremu una selezzione diversa di wafers SiC (Carburu di Siliciu) di alta qualità, cù una attenzione particulare à i wafers di tipu N 4H-N è 6H-N, chì sò ideali per applicazioni in optoelettronica avanzata, dispositivi di putenza è ambienti à alta temperatura. Quessi wafers di tipu N sò cunnisciuti per a so eccezziunale cunduttività termica, a so eccezziunale stabilità elettrica è a so notevole durabilità, chì li rende perfetti per applicazioni ad alte prestazioni cum'è l'elettronica di putenza, i sistemi di trasmissione di veiculi elettrici, l'invertitori di energia rinnovabile è l'alimentatori industriali. Oltre à e nostre offerte di tipu N, furnimu ancu wafers SiC di tipu P 4H/6H-P è 3C per bisogni specializati, cumpresi dispositivi ad alta frequenza è RF, è ancu applicazioni fotoniche. I nostri wafers sò dispunibili in dimensioni chì varianu da 2 pollici à 8 pollici, è furnimu suluzioni persunalizate per risponde à i requisiti specifici di vari settori industriali. Per più dettagli o richieste, ùn esitate micca à cuntattateci.

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Funziunalità

Pruprietà

4H-N è 6H-N (Galle di SiC di tipu N)

Applicazione:Principalmente adupratu in elettronica di putenza, optoelettronica è applicazioni à alta temperatura.

Gamma di Diametri:Da 50,8 mm à 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm, cù spessori opzionali di 500 μm ± 25 μm.

Resistività:Tipu N 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (gradu Z), ≤ 0,3 Ω·cm (gradu P); Tipu N 3C-N: ≤ 0,8 mΩ·cm (gradu Z), ≤ 1 mΩ·cm (gradu P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità di Microtubi (MPD):< 1 unità/cm².

TTV: ≤ 10 μm per tutti i diametri.

Orditura: ≤ 30 μm (≤ 45 μm per wafer di 8 pollici).

Esclusione di u bordu:Da 3 mm à 6 mm secondu u tipu di wafer.

Imballaggio:Cassetta multi-wafer o contenitore per un solu wafer.

Altre dimensioni dispunibili 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

HPSI (Wafers SiC Semi-Isolanti di Alta Purezza)

Applicazione:Adupratu per dispositivi chì necessitanu alta resistenza è prestazioni stabili, cum'è dispositivi RF, applicazioni fotoniche è sensori.

Gamma di Diametri:Da 50,8 mm à 200 mm.

Spessore:Spessore standard di 350 μm ± 25 μm cù opzioni per wafer più spessi finu à 500 μm.

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm.

Densità di Microtubi (MPD): ≤ 1 unità/cm².

Resistività:Alta resistenza, tipicamente aduprata in applicazioni semi-isolanti.

Orditura: ≤ 30 μm (per dimensioni più chjuche), ≤ 45 μm per diametri più grandi.

TTV: ≤ 10 μm.

Altre dimensioni dispunibili 3 pollici 4 pollici 6 pollici 8 pollici

4H-P、6H-P&3C wafer di SiC(Galle di SiC di tipu P)

Applicazione:Principalmente per dispositivi di putenza è d'alta frequenza.

Gamma di Diametri:Da 50,8 mm à 200 mm.

Spessore:350 μm ± 25 μm o opzioni persunalizate.

Resistività:Tipu P 4H/6H-P: ≤ 0,1 Ω·cm (gradu Z), ≤ 0,3 Ω·cm (gradu P).

Rugosità:Ra ≤ 0,2 nm (CMP o MP).

Densità di Microtubi (MPD):< 1 unità/cm².

TTV: ≤ 10 μm.

Esclusione di u bordu:Da 3 mm à 6 mm.

Orditura: ≤ 30 μm per e dimensioni più chjuche, ≤ 45 μm per e dimensioni più grande.

Altre dimensioni dispunibili 3 pollici 4 pollici 6 pollici5×5 10×10

Tabella di Parametri di Dati Parziali

Pruprietà	2 pollici		3 pollici		4 pollici	6 pollici	8 pollici
Tipu	4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI/ 6H-N/4H/6H-P/3C;		4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;	4H-N/HPSI/4H-SEMI
Diametru	50,8 ± 0,3 mm		76,2 ± 0,3 mm		100 ± 0,3 mm	150 ± 0,3 mm	200 ± 0,3 mm
Spessore	330 ± 25 µm		350 ±25 µm		350 ±25 µm	350 ±25 µm	350 ±25 µm
	350 ± 25 um;		500 ± 25 µm		500 ± 25 µm	500 ± 25 µm	500 ± 25 µm
	o persunalizatu		o persunalizatu		o persunalizatu	o persunalizatu	o persunalizatu
Rugosità	Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm	Ra ≤ 0,2 nm
Orditu	≤ 30um		≤ 30um		≤ 30um	≤ 30um	≤45um
TTV	≤ 10um		≤ 10um		≤ 10um	≤ 10um	≤ 10um
Grattà/Scavare	CMP/MP
MPD	<1ea/cm-2	<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2		<1ea/cm-2
Forma	Tondu, Pianu 16mm; DI lunghezza 22mm; DI Lunghezza 30/32,5mm; DI Lunghezza 47,5mm; TACCA; TACCA;
Bisellu	45°, Specificazione SEMI; Forma di C
Gradu	Gradu di pruduzzione per MOS&SBD; Gradu di ricerca; Gradu fittiziu, Gradu di wafer di sementi
Osservazioni	Diametru, Spessore, Orientazione, e specificazioni sopra ponu esse persunalizate à a vostra dumanda

Applicazioni

·Elettronica di putenza

I wafer di SiC di tipu N sò cruciali in i dispositivi elettronichi di putenza per via di a so capacità di trattà alta tensione è alta corrente. Sò cumunemente usati in convertitori di putenza, inverter è azionamenti di motori per industrie cum'è l'energie rinnuvevuli, i veiculi elettrici è l'automatizazione industriale.

· Optoelettronica
I materiali SiC di tipu N, in particulare per l'applicazioni optoelettroniche, sò impiegati in dispositivi cum'è i diodi emettitori di luce (LED) è i diodi laser. A so alta conducibilità termica è l'ampia banda proibita li rendenu ideali per dispositivi optoelettronici ad alte prestazioni.

·Applicazioni à alta temperatura
I wafer di SiC 4H-N 6H-N sò adatti per ambienti à alta temperatura, cum'è in sensori è dispositivi di putenza utilizati in applicazioni aerospaziali, automobilistiche è industriali induve a dissipazione di u calore è a stabilità à temperature elevate sò critiche.

·Dispositivi RF
I wafer SiC 4H-N 6H-N sò aduprati in i dispusitivi di radiofrequenza (RF) chì operanu in intervalli d'alta frequenza. Sò applicati in sistemi di cumunicazione, tecnulugia radar è cumunicazioni satellitari, induve sò richieste una alta efficienza energetica è prestazioni.

·Applicazioni Fotoniche
In fotonica, i wafer di SiC sò aduprati per dispositivi cum'è fotodetettori è modulatori. E proprietà uniche di u materiale li permettenu di esse efficace in a generazione di luce, a modulazione è a rilevazione in sistemi di cumunicazione ottica è dispositivi di imaging.

·Sensori
I wafer di SiC sò aduprati in una varietà d'applicazioni di sensori, in particulare in ambienti difficili induve altri materiali puderanu fallu. Quessi includenu sensori di temperatura, pressione è chimichi, chì sò essenziali in campi cum'è l'automobile, u petroliu è u gasu, è u monitoraghju ambientale.

·Sistemi di trasmissione di veiculi elettrici
A tecnulugia SiC ghjoca un rollu significativu in i veiculi elettrichi migliurendu l'efficienza è e prestazioni di i sistemi di trasmissione. Cù i semiconduttori di putenza SiC, i veiculi elettrichi ponu ottene una migliore durata di a batteria, tempi di carica più rapidi è una maggiore efficienza energetica.

·Sensori Avanzati è Convertitori Fotonici
In e tecnulugie di sensori avanzati, i wafer di SiC sò aduprati per creà sensori d'alta precisione per applicazioni in robotica, dispositivi medichi è monitoraghju ambientale. In i convertitori fotonici, e proprietà di SiC sò sfruttate per permette una cunversione efficiente di l'energia elettrica in segnali ottici, chì hè vitale in l'infrastrutture di telecomunicazioni è internet à alta velocità.

Dumande è risposte

QChì ghjè 4H in 4H SiC?
A"4H" in 4H SiC si riferisce à a struttura cristallina di u carburu di siliciu, specificamente una forma esagonale cù quattru strati (H). L'"H" indica u tipu di politipu esagonale, distinguendulu da altri politipi SiC cum'è 6H o 3C.

QChì ghjè a cunduttività termica di 4H-SiC ?
AA cunduttività termica di 4H-SiC (Carburu di Siliciu) hè circa 490-500 W/m·K à temperatura ambiente. Questa alta cunduttività termica a rende ideale per applicazioni in elettronica di putenza è ambienti à alta temperatura, induve una dissipazione efficiente di u calore hè cruciale.

Precedente: Tubu di zaffiro di precisione, fabricazione di tubu trasparente, cristallu Al2O3 resistente à l'usura, alta durezza EFG/KY, lucidatura di vari diametri persunalizata

Dopu: Cassetta di wafer à una sola cialda da 2 pollici, materiale di scatula di wafer in PP o PC Adupratu in suluzioni di muniti di wafer 1 pollice 3 pollici 4 pollici 5 pollici 6 pollici 12 pollici sò dispunibili