SiC
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Substratu di carburo di siliciu Sic di 2 pollici Tipu 6H-N 0,33 mm 0,43 mm lucidatura à doppia faccia Alta conducibilità termica Bassu cunsumu energeticu
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Substratu SiC 3 pollici 350um di spessore Tipu HPSI Prime Grade Dummy grade
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Lingotti di carburo di siliciu SiC di 6 pollici di tipu N, spessore fittiziu / di prima qualità pò esse persunalizatu
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6 in Lingotti Semi-isolanti di Carburu di Siliciu 4H-SiC, di Qualità Fittizia
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Lingotto SiC tipu 4H Dia 4 pollici 6 pollici Spessore 5-10 mm Ricerca / Gradu fittiziu
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Substratu Sic, Wafer di Carburu di Siliciu 4H-N di Tipu, Alta Durezza, Resistenza à a Corrosione, Lucidatura di Prima Qualità
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Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, tipu 6H-N, primu gradu, gradu fittiziu di ricerca, spessore 330 μm 430 μm
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Substratu di carburo di siliciu di 2 pollici 6H-N lucidatu à doppia faccia diametru 50,8 mm di qualità di pruduzzione qualità di ricerca
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Substrati cumposti SiC di tipu N Dia6inch Monocristallini di alta qualità è substrati di bassa qualità
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Substrati cumposti SiC semi-isolanti Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
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SiC di tipu N nantu à substrati cumposti di Si Dia6inch
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Substratu SiC Dia200mm 4H-N è carburu di siliciu HPSI