SiC
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Wafer SiC 4H-N HPSI Wafer epitassiale SiC 6H-N 6H-P 3C-N per MOS o SBD
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Wafer Epitaxiale SiC per Dispositivi di Potenza - 4H-SiC, Tipu N, Bassa Densità di Difetti
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Wafer epitassiale SiC di tipu 4H-N à alta tensione è alta frequenza
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Wafer di carburo di siliciu di alta purezza (senza dopaggio) da 3 pollici, substrati di Sic semi-isolanti (HPSl)
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4H-N wafer di substratu SiC di 8 pollici in carburo di siliciu fittiziu di qualità di ricerca di 500um di spessore
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4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch pruduzzione Dummy grade substratu di carburo di siliciu Dia150mm
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Wafer rivestitu d'oru, wafer di zaffiro, wafer di siliciu, wafer di SiC, 2 pollici 4 pollici 6 pollici, spessore rivestitu d'oru 10 nm 50 nm 100 nm
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Wafer SiC 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C type 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
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Substratu di carburo di siliciu Sic di 2 pollici Tipu 6H-N 0,33 mm 0,43 mm lucidatura à doppia faccia Alta conducibilità termica Bassu cunsumu energeticu
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Substratu SiC 3 pollici 350um di spessore Tipu HPSI Prime Grade Dummy grade
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Lingotti di carburo di siliciu SiC di 6 pollici di tipu N, spessore fittiziu / di prima qualità pò esse persunalizatu
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6 in Lingotti Semi-isolanti di Carburu di Siliciu 4H-SiC, di Qualità Fittizia