Wafers SiC semi-insultante da 4inch HPSI SiC substrate Prime Production grade

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Descrizione breve:

A piastra di lucidatura bifacciale di carburu di silicium semi-insulata di 4 pollici d'alta purezza hè aduprata principalmente in a cumunicazione 5G è in altri campi, cù i vantaghji di migliurà a gamma di frequenze radio, ricunniscenza ultra-longa distanza, anti-interferenza, alta velocità. , trasmissioni di infurmazione di grande capacità è altre appiicazioni, è hè cunsideratu cum'è u sustrato ideale per fà i dispositi di putenza à microonde.

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Specificazione di u produttu

Carbide di silicium (SiC) hè un materiale semiconductor cumpostu di l'elementi di carbone è di siliciu, è hè unu di i materiali ideali per fà i dispusitivi d'alta temperatura, d'alta freccia, d'alta putenza è di alta tensione. Comparatu cù u materiale di siliciu tradiziunale (Si), a larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè trè volte quella di u siliciu; a conduttività termale hè 4-5 volte quella di u siliciu; a tensione di rottura hè 8-10 volte quella di u siliciu; è a rata di deriva di saturazione di l'elettroni hè 2-3 volte quella di u siliciu, chì risponde à i bisogni di l'industria muderna per alta putenza, alta tensione è alta frequenza, è hè principalmente utilizata per fà alta velocità, alta velocità. cumpunenti elettronichi di frequenza, alta putenza è emissioni di luce, è i so spazii di applicazione downstream includenu smart grid, Veiculi d'energia nova, energia eolica fotovoltaica, cumunicazioni 5G, etc. I diodi di carburu è i MOSFET sò cuminciati à esse applicati in u cummerciu.

Vantaghji di wafers SiC / substratu SiC

Resistenza à alta temperatura. A larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè 2-3 volte di quella di u siliciu, cusì l'elettroni sò menu prubabile di saltà à alte temperature è ponu resistà à temperature di u funziunamentu più altu, è a conduttività termale di u carburu di siliciu hè 4-5 volte quella di u siliciu, facendu hè più faciule per dissiparà u calore da u dispusitivu è permette una temperatura di u funziunamentu limitante più altu. E caratteristiche d'alta temperatura ponu aumentà significativamente a densità di putenza, mentre riducendu i requisiti per u sistema di dissipazione di calore, facendu u terminal più ligeru è miniaturizatu.

Resistenza à alta tensione. A forza di u campu di ripartizione di u carburu di siliciu hè 10 volte quella di u siliciu, chì li permette di resistà à tensioni più elevate, facendu più adattatu per i dispositi d'alta tensione.

Resistenza à alta frequenza. Carburu di siliciu hà duie volte u tassu di saturazione di l'elettroni di u silicuu, risultatu in i so dispusitivi in u prucessu di arrestu ùn esiste micca in u fenomenu di trascinamentu attuale, pò migliurà efficacemente a freccia di cambiamentu di u dispusitivu, per ottene miniaturizazione di u dispusitivu.

Bassa perdita di energia. carbure di silicium hà una assai bassu su-resistenza cumparatu à i materiali di silicium, bassa perdita di cunduzzione; à u listessu tempu, l 'alta larghezza di banda di carbure di siliciu reduce significativamente u currenti di fuga, perdita di putenza; in più, i dispusitivi di carburu di siliciu in u prucessu di chjusu ùn esiste micca in u fenomenu di trascinamentu attuale, a perdita di u cambiamentu bassu.