Cialde SiC semi-insulanti da 4 pollici Substratu SiC HPSI di prima qualità di pruduzzione
Specificazione di u produttu
U carburu di siliciu (SiC) hè un materiale semiconduttore cumpostu cumpostu da l'elementi carbone è siliciu, è hè unu di i materiali ideali per a fabricazione di dispositivi à alta temperatura, alta frequenza, alta putenza è alta tensione. In paragone cù u materiale tradiziunale di siliciu (Si), a larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè trè volte quella di u siliciu; a cunduttività termica hè 4-5 volte quella di u siliciu; a tensione di rottura hè 8-10 volte quella di u siliciu; è a velocità di deriva di saturazione di l'elettroni hè 2-3 volte quella di u siliciu, chì risponde à i bisogni di l'industria muderna per alta putenza, alta tensione è alta frequenza, è hè principalmente adupratu per fà cumpunenti elettronichi à alta velocità, alta frequenza, alta putenza è emissioni di luce, è e so aree d'applicazione à valle includenu rete intelligente, veiculi di nova energia, energia eolica fotovoltaica, cumunicazioni 5G, ecc. In u campu di i dispositivi di putenza, i diodi di carburu di siliciu è i MOSFET anu cuminciatu à esse applicati cummercialmente.
Vantaghji di e cialde di SiC / substratu di SiC
Resistenza à alta temperatura. A larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè 2-3 volte quella di u siliciu, dunque l'elettroni sò menu propensi à saltà à alte temperature è ponu suppurtà temperature di funziunamentu più elevate, è a cunduttività termica di u carburu di siliciu hè 4-5 volte quella di u siliciu, rendendu più faciule a dissipazione di u calore da u dispusitivu è permettendu una temperatura di funziunamentu limite più alta. E caratteristiche di alta temperatura ponu aumentà significativamente a densità di putenza, riducendu à tempu i requisiti per u sistema di dissipazione di u calore, rendendu u terminale più ligeru è miniaturizatu.
Resistenza à alta tensione. A forza di u campu di rottura di u carburu di siliciu hè 10 volte quella di u siliciu, ciò chì li permette di resiste à tensioni più elevate, rendendulu più adattatu per i dispositivi à alta tensione.
Resistenza à alta frequenza. U carburu di siliciu hà duie volte a velocità di deriva di l'elettroni di saturazione di u siliciu, ciò chì face chì i so dispositivi in u prucessu di spegnimentu ùn esiste micca in u fenomenu di trascinamentu attuale, pò migliurà efficacemente a frequenza di commutazione di u dispositivu, per ottene a miniaturizazione di u dispositivu.
Perdita di energia bassa. U carburu di siliciu hà una resistenza à l'alimentazione assai bassa paragunata à i materiali di siliciu, perdita di conduzione bassa; à u listessu tempu, l'alta larghezza di banda di u carburu di siliciu riduce significativamente a corrente di dispersione, a perdita di putenza; in più, i dispositivi di carburu di siliciu in u prucessu di spegnimentu ùn esistenu micca in u fenomenu di resistenza di corrente, perdita di commutazione bassa.
Diagramma dettagliatu
