4inch Wafers SiC semi-insultante HPSI SiC substrate Prime Production grade

Wafers SiC semi-insultante da 4inch Sustrato HPSI SiC Prime Grade di Produzione Image Featured Image

Descrizione breve:

A piastra di lucidatura bifacciale di carburu di silicium semi-insulata di 4 pollici d'alta purezza hè aduprata principalmente in a cumunicazione 5G è in altri campi, cù i vantaghji di migliurà a gamma di frequenze radio, ricunniscenza ultra-longa distanza, anti-interferenza, alta velocità. , trasmissioni di infurmazione di grande capacità è altre appiicazioni, è hè cunsideratu cum'è u sustrato ideale per fà i dispositi di putenza di microonde.

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Specificazione di u produttu

Carbide di silicium (SiC) hè un materiale semiconductor cumpostu di l'elementi di carbone è di siliciu, è hè unu di i materiali ideali per fà i dispusitivi d'alta temperatura, d'alta freccia, d'alta putenza è di alta tensione. Comparatu cù u materiale di siliciu tradiziunale (Si), a larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè trè volte quella di u siliciu; a conduttività termale hè 4-5 volte quella di u siliciu; a tensione di rottura hè 8-10 volte quella di u siliciu; è a rata di deriva di saturazione di l'elettroni hè 2-3 volte quella di u silicuu, chì risponde à i bisogni di l'industria muderna per l'alta putenza, l'alta tensione è l'alta frequenza, è hè principalmente utilizata per fà alta velocità, alta velocità. cumpunenti ilittronica di frequenza, high-putere è light-emitting, è i so spazii di appiecazione downstream includenu smart grid, Veiculi d'energia nova, energia eolica fotovoltaica, cumunicazioni 5G, etc. In u campu di i dispusitivi di putenza, i diodi di carburu di siliciu è i MOSFET sò cuminciati à esse. cummircialmenti applicata.

Vantaghji di wafers SiC / substratu SiC

Resistenza à alta temperatura. A larghezza di banda pruibita di u carburu di siliciu hè 2-3 volte di quella di u siliciu, cusì l'elettroni sò menu prubabile di saltà à alte temperature è ponu resistà à temperature di u funziunamentu più altu, è a conduttività termale di u carburu di siliciu hè 4-5 volte quella di u siliciu, facendu hè più faciule per dissiparà u calore da u dispusitivu è permette una temperatura di u funziunamentu limitante più altu. E caratteristiche d'alta temperatura ponu aumentà significativamente a densità di putenza, mentre riducendu i requisiti per u sistema di dissipazione di calore, facendu u terminal più ligeru è miniaturizatu.

Resistenza à alta tensione. A forza di u campu di ripartizione di u carburu di siliciu hè 10 volte quella di u siliciu, chì li permette di resistà à tensioni più elevate, facendu più adattatu per i dispositi d'alta tensione.

Resistenza à alta frequenza. Carburu di siliciu hà duie volte u tassu di saturazione di l'elettroni di u silicuu, risultatu in i so dispusitivi in u prucessu di arrestu ùn esiste micca in u fenomenu di trascinamentu attuale, pò migliurà efficacemente a freccia di cambiamentu di u dispusitivu, per ottene miniaturizazione di u dispusitivu.

Bassa perdita di energia. carbure di silicium hà una assai bassu su-resistenza cumparatu à i materiali di silicium, perdita di cunduzzione bassa; à u listessu tempu, l 'alta larghezza di banda di carbure di silicium reduce significativamente u currenti di fuga, perdita di putenza; in più, i dispusitivi di carburu di silicuu in u prucessu di arrestu ùn esiste micca in u fenomenu di trascinamentu attuale, bassa perdita di cambiamentu.