SiC
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Wafer di substratu semi-SiC 4H da 3 pollici è 76,2 mm Wafer di carburo di siliciu semi-insulanti SiC
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Substrati SiC di 3 pollici di diametru è 6,2 mm HPSI Prime Research è di qualità fittizia
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4H-semi HPSI 2inch substratu SiC wafer Pruduzzione Dummy Research grade
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Wafer SiC da 2 pollici 6H o 4H Substrati SiC semiisolanti 6H Dia 50,8 mm
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4H-N 4 pollici substratu SiC wafer Carburu di Siliciu Pruduzzione Dummy Research grade
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Wafers SiC in carburo di siliciu da 6 pollici è 150 mm di tipu 4H-N per a ricerca di pruduzzione MOS o SBD è a qualità fittizia
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Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, substrati di SiC di tipu N o semiisolanti 6H o 4H
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Wafer SiC 4H-N da 8 pollici, 200 mm, di qualità di ricerca fittizia conduttiva
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Wafer di carburo di siliciu da 2 pollici, substrati di SiC di tipu N o semiisolanti 6H o 4H